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國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件專(zhuān)業(yè)研發(fā)制造商

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BRMJD112Q
產(chǎn)品參數(shù)
  • 產(chǎn)品型號(hào)： BRMJD112Q
  • 極性： NPN POLARITY
  • PC： 1750 (mW)
  • IC： 2000 (mA)
  • VCBO： 100 (V)
  • VCEO： 100 (V)
  • VEBO： 5 (V)
  • VCE(sat)： 2 (V)  2000 IC(mA)  8 IB(mA)
  • hFE： 3 VCE (V)  2000 IC(mA)  1000 MIN.  12000 MAX.
  • fT： 25 (MHz)
  • 封裝： TO-252 Package
詳細(xì)介紹